圣诞老公公送了我电池

圣诞快乐！值此佳节我们给大家带来了一份神秘礼物，那就是即将上市的一次性电池零售型U盘包装。小尺寸、低价格、轻重量这些都可让客户节约包装跟运输成本。世界各地的消费者都会爱上这款创新的设计！目前这款包装只用于U5和U6两款外型，也可以定制客户也可以定制自己所需包装，详情请咨询。

U8 U盘!

这款是我们超薄U盘系列的最新产品U8，它可以使用双贴。以前这个系列的U盘如 U5/U6/U7 都只能单贴，大容量的成本比较高。现在我们终于有了性价比非常好的4GB超薄最新外型的U盘了！

打样了！43nm 8Kp PCBA

好消息！最新支持43nm 8Kp Flash的PCBA九龙湾科技已经打出了样板。目前样板使用的是3S 6690单贴板，不久也会推出Sky的方案以及能够双贴的板子。这款全新的PCBA均使用QFN封装主控及5032的贴片晶振，最适合现今流行的新颖小巧的U盘外壳。

QFN vs QFP

数十年来，芯片封装技术一直追随着lC的发展而发展，一代IC就有相应一代的封装技术相配合。而SMT (Surface Mount Technology，表面组装技术) 的发展。更加促进芯片封装技术不断达到新的水平。

八十年代出现了SMT，经研制开发出了表面贴装型封装QFP（四侧引脚扁平封装）适于使用SMT在PCB或其他基板上表面贴装。QFP的引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型，引脚之间距离很小，管脚很细，现在大多数U盘主控采用的都是这种封装形式（例如：芯邦/安国/迈科微）。由于受器件引脚框架加工精度等制造技术的限制，0.5mm引脚间距、304条引脚的QFP已经是目前电子封装生产所能制造QFP封装的最大值。若要容纳更多的引脚，只有寻找更新的封装技术手段。

近几年来，QFN封装（方形扁平无引脚封装）由于是一种无引脚封装，由封装底部中央位置裸露的大面积焊盘导热，围绕大焊盘的封装外围四周有实现电气连结的导电焊盘（不像传统的QFP封装那样具有鸥翼状引线），内部引脚与焊盘之间的导电路径短，自感系数以及封装体内布线电阻很低，能提供卓越的电性能。由于具备良好的电、热性能、体积小、重量轻等优点，QFP封装特别适合任何一个对尺寸、重量和性能都有要求的应用。目前某台廠一系列U盘应用了此种封装形式的主控。

随着集成技术的进步、设备的改进为满足发展的需要，在原有封装品种基础上，又增添了新的品种——球栅阵列封装，简称BGA (Ball Grid Array Package)。它跟QFP封装一样没有引脚，不同的是它底部是42-56个锡球。由于价格不菲，目前尚没有U盘主控使用这种封装形式。

台湾的USB主控方案

台湾群联(Phison)虽然已经推出了一款支持8Kp的新主控，但是由于价位太高在国内市场没有竞争力。据传另外还有一个争论的焦点就是它支持43nm Flash制程的稳定性。在内地市场群联没有占有真正的市场份额也没有做技术支援，以上种种表明群联只能成为台湾43nm制程的领军人。






最近几年，台湾的擎泰(Skymedi)已经成为三星直接的主控研发公司，所有三星产品都在使用擎泰的主控。随着三星35nm制程 8Kp Flash的推广，擎泰将在2009年1-2月左右推出一款支持8KP的新主控。






相对新进入这个领域的台湾3S他们会在12月的中旬推出一款6690的主控，这款主控不但支持43nm制程8Kp的Flash，并且写入速度最大值可达10MB/S。有了日本东芝大厂的直接投资，不难看出3S为什么会在这场8Kp主控市场的争夺中走在最前头。伴随深圳分公司及代理商的建立，3S进军中国内地市场的意图很明显，仅去年1年的时间他们的营销网络就覆盖了整个深圳地区。目前3S6677的市场占有率不大，其中一个主要原因是Sorting的量产方式需要花费大量的时间。使用Sorting量产的工艺流程，比较困难复杂，阻碍了更多的消费者选择这款主控。但是新出的6690跟测试软件的问世，在降低测试成本的同时，也使操作变的简单易行，大大加快了产品的是生产流程。作为第一家提供支持8Kp U盘主控的研发公司，3S将会抓住这个机会增强自己在内地市场的占有率，从另外3大主控研发公司那分得一块大蛋糕。


如果追溯Flash发展工艺的历史，你会意识到Flash工艺提升到8Kp是潮流所趋。那么就让我们从现在开始规划吧！

深圳三家主控开发公司

随着2009年将要面上的43nm制程8Kp Flash，主控研发公司都迅速做出了反应，积极开发支持新一代Flash的U盘主控芯片。就目前在中国内地的三家主控开发公司（芯邦/迈科微/安国）还没有解决这方面的技术。








目前安国6983主控配合它的最新量产工具只能支持4KP Flash，暂时无推出新主控的消息。







迈科微现在的6208E主控也只支持50nm制程4Kp的Flash，他们支持8Kp的主控8219正在研发阶段，声称2月底可以投入量产。





芯邦最新的2092主控只支持50nm制程4Kp Flash。传闻他们支持43nm/8Kp Flash的2093主控将在明年三月上市。随着他们核心工程师和技术员的相继离开，创立自己的开发公司，芯邦的前景已经不是很明朗。2007-2008两年间，芯邦很大一部分市场都被迈科微及安国两家公司瓜分。

2009年是8Kp的天下！

Flash记忆体中，块是用来计算容量的基本单位，譬如常说的：块结构表、坏块。比块更小的单位是页，块=128页。现在市面上的Flash每页可存4K个字节缩写为4Kp (4K page)， 2GB的Flash颗粒里有4K个这样的块。

计算方法：4,000*128*4KB=2,048MB

厂商为了推出价格更好的大容量颗粒，于是8Kp（每页可存8K个字节, 8K page）的技术便应运而生。如果4,000块的页都是8Kp的结构，那么2GB的容量就会往上翻一倍成为4GB。

计算方法：4,000*128*8KB=4,096MB

目前，只有东芝将在本月推出43nm制程8Kp的Flash，三星2009年初推向市场的是35nm的制程。

判断制程的标准：相同容量的Flash，好的制程封装出来的颗粒体积比较小。

自我介绍:东芝43纳米

因应NAND Flash产业景气寒冬，以及进入传统淡季后价格进一步重挫，日系大厂东芝 (Toshiba)日前宣布，该公司以43nm精密制程生产的16Gb NAND型闪存，已正式开始样品出货，芯片面积约为120mm2，约较56nm世代产品缩减30％，预定于3月正式量产。此外，该公司也计划于7～9月利用相同制程量产32Gb产品，将制程技术全数转进43纳米，现有56纳米制程将逐步退役。若能顺利量产,届时东芝将可望在储存容量方面超越目前业界龙头—韩国三星电子。东芝的2大竞争对手三星电子 (Samsung Electronics) 和海力士 (Hynix) 分别在51和48纳米制程进度不如预期，尤其是海力士进度大幅落后，更拉大了彼此距离， 东芝将成为全球NAND Flash制造商成本结构最低者。我们相信往后数年终端市场的消费者将可以相对低廉的价格买到更高储存容量的NAND Flash相关应用。