自我介绍:东芝43纳米

因应NAND Flash产业景气寒冬，以及进入传统淡季后价格进一步重挫，日系大厂东芝 (Toshiba)日前宣布，该公司以43nm精密制程生产的16Gb NAND型闪存，已正式开始样品出货，芯片面积约为120mm2，约较56nm世代产品缩减30％，预定于3月正式量产。此外，该公司也计划于7～9月利用相同制程量产32Gb产品，将制程技术全数转进43纳米，现有56纳米制程将逐步退役。若能顺利量产,届时东芝将可望在储存容量方面超越目前业界龙头—韩国三星电子。东芝的2大竞争对手三星电子 (Samsung Electronics) 和海力士 (Hynix) 分别在51和48纳米制程进度不如预期，尤其是海力士进度大幅落后，更拉大了彼此距离， 东芝将成为全球NAND Flash制造商成本结构最低者。我们相信往后数年终端市场的消费者将可以相对低廉的价格买到更高储存容量的NAND Flash相关应用。